لیست اختراعات رحيم فائز
ترانزيستور تونلي با عايق گيت اكسيد هافنيوم ناخالصشده با سيليكان يك ترانزيستور تونلي فركانس بالاي جديد است كه در آن ساختار پشته گيت به صورت پالي سيليكان / اكسيد هافنيوم ناخالصشده با سيليكان / اكسيد واسط / كانال است. كوچكسازي ابعاد ترانزيستورها يكي از مهمترين عوامل در پيشرفت نسلهاي مختلف فناوري ترانزيستور مكمل نيمه هادي-اكسيد-فلز است. استفاده از فروالكتريك اكسيد هافنيوم ناخالصشده با سيليكان به جاي فروالكتريكهاي پروسكايت متداول مثل تيتانات زيركونات سرب يا تانتاليت بيسموت استرانسيوم در ترانزيستور تونلي ، علاوه بر سازگاري با فرآيند متداول ترانزيستور مكمل نيمه هادي-اكسيد-فلز سبب بهبود كوچكسازي ترانزيستور ميشود. از سوي ديگر ترانزيستور تونلي با عايق گيت اكسيد هافنيوم ناخالصشده با سيليكان با افزايش ولتاژ گيت اعمالي روي سطح كانال سبب افزايش ميدان الكتريكي در ناحيه تونلزني ميشود. بنابراين در مقايسه با ترانزيستور تونلي متداول، افزايش قابل توجهي در ترارسانايي و شيب زير آستانه نشان ميدهد كه ميتواند جايگزين مناسبي براي ترانزيستور تونلي متداول براي كاربردهاي كليدزني باشد.
براي اولين بار يك فرايند استخراج مشخصه انتقالي به صورت سه بعدي براي ترانزيستورهاي تونلي سه گيتي با استفاده از روش جمع وزندار بدست آورديم. توزيع پتانسيل سه بعدي ترانزيستور تونلي سه گيتي به صورت جمع وزندار توزيع پتانسيلهاي دو ترانزيستور مستقل متقارن و نامتقارن استخراج شده است. فرايند استخراج ارائه شده تطابق بسيار خوبي با نتايج شبيهسازي سهبعدي كه با دادههاي عملي كاليبره شده را دارد كه نشان دهندهي صحت و قابل اعتماد بودن اين فرايند استخراج را بدون هيچ گونه بهينهسازي نشان ميدهد.
موارد یافت شده: 2